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简析ITO靶材烧结工艺,ito靶材烧结过程

[ 发布日期:2019-11-17 14:21:14 点击:62 来源:洛阳高新四丰电子材料有限公司 【打印此文】 【关闭窗口】]
  ITO靶材被广泛应用于电子行业,我们日常用到的液晶显示屏以及汽车的挡风玻璃都是利用ito靶材制作的ito薄膜,具有极高的耐冲击性,并且具有导电性和透光性,下面就由四风小编为您介绍一下ITO靶材烧结工艺。
  

  一、粉末原料



  可以直接用In2O3粉末加上SnO2粉末混合而成,但一般均探用共沉法将Sn固溶于In2O3之中。一般的化学共沉法是将所要的金属离子溶于水中,然后用适当的沉淀剂,使沉淀剂中的阴离子与金属离子结合,形成难溶于水的固态化合物。预期生成之化合物在溶液中之溶解度产生过饱和,形成此化合物之晶核,核成长,形成相的安定化及沉淀。溶液中的沉淀物常藉由过滤来与溶液分离,因此沉淀物首先需考虑过滤的容易与否。
  

  二、成形

  

  1、干压成形

  
  使用造粒好的粉体添加适当的润滑剂或黏结剂,以压形机及模具冷压成型所需形状尺寸的生胚。其基本的要求是胚体的密度均一性,否则在烧结的过程中会因收缩得不均导致变形或破裂。通常要达到化的要求必须包含粉体处理、润化剂种类及数量、模具设计及稳定的成形机等全面的配合才可。
  

  2、铸浆成形

  
  的优点是易于裂造大尺寸且形状复杂的工件,基本原理是将粉料调成黏度适中的浆料,在注人富有毛细孔的模具内,藉由毛细管作用力与过滤功能提高固含物浓度,使浆料附着于模具表面,继而填充满模具内穴。其中各种影响参数众多,所影响的的过程因素包含有浆料流变性、铸浆速度、泄浆特性、干燥收缩、脱模性及生胚强度等。良好的浆料应是高固含量、高铸浆率、易于脱模及适度的收缩性,同时较无时效的问题。
  

  三、烧结

  
  ITO烧结体的微细构造受到烧结时升温速率、温度、持温时间及烧结气氛等因素影响,烧结气氛又可分为大气中、氧气中及加压氧气等。烧结体欲得到高缴密化,除了上述的烧结参数外还需加以考虑粉粒体的形状及粒径。
  

  1、热压烧结法

  
  热压是利用热能与机械能将陶瓷缴密化的过程,此过程的特色是烧结温度可依外加压力的大小而比常压烧结低约200~400°C,同时外加的能量使陶瓷缴密化速度加快,因此完全缴密且晶粒细的陶瓷产品可以在较低的温度及较短的时间内完成。
  

  2、HIP(热均压)法

  
  热均压过程将起始陶瓷原料成形以后粉末,以金属或玻璃材料包覆其外,然后在同时加温及加上气体压力,使得陶瓷缴密化。对HIP,因为不需受限于坚固的模具(例如热压的石墨或氧化铝模具),因此外加压力可高达100~320MPa,温度也可达2000°C以上。另外,由于使用均方性气体压力,没有剪应力及模具摩擦力,因此保形性非常优良。
  

  3、常压烧结法

  
  常压烧结的过程非常简单,可以区分为三个阶段:升温,持温及降温。升温过程终生胚所合水分及黏结剂可以在100-600°C中除去,再此一阶段必须非常缓慢,以避免黏结剂分解及水份汽化所产生的压力造成生胚破裂。再烧除黏结剂时需供应大量的空气或氧气,以利完全除去有机黏结剂。再持温十温度保持於烧结曲线温一段时间,以利生胚缴密化,一般而言持温时间约1~2小时,端赖生胚的性质(如粉体粒径、粉体颗粒分布、粉体填充等因素)而改变。降温的速率亦决定於产品的体积与形状,冷却速率太快容易造成裂缝或其他的损害,尤其在低温时更需小心注意。
  

  以上就是对于ITO靶材烧结工艺的介绍,将氧化铟和氧化锡粉末按一定比例混合,经过一系列的生产工艺加工成型,再高温气氛烧结形成黑灰色陶瓷半导体。四丰电子生产的ito靶材纯度高于99.99%,并且拥有完善的售后服务体系,可以根据客户要求,进行有关使用等方面的技术指导,欢迎您的致电咨询。

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